一種半導(dǎo)體設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201921573735.8 申請日 -
公開（公告）號 CN211199388U 公開（公告）日 2020-08-07
申請公布號 CN211199388U 申請公布日 2020-08-07
分類號 C23C14/35;C23C14/56;C23C14/50;C23C14/54;C23C14/06 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 林信南;游宗龍;劉美華;李方華;児玉晃;板垣克則 申請（專利權(quán)）人 蘇州辰華半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 深圳市晶相技術(shù)有限公司
地址 518000 廣東省深圳市坪山區(qū)坪山街道六和社區(qū)招商花園城17棟S1704
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提出一種半導(dǎo)體設(shè)備，包括：生長腔體；基座，設(shè)置在所述生長腔體內(nèi)，所述基座允許放置基板；靶材，設(shè)置在所述生長腔體內(nèi)；磁體，設(shè)置在所述靶材相對的位置上；其中，所述磁體包括多個磁性單元，所述磁體是形成一弧形的磁場。本實用新型提出的半導(dǎo)體能夠提高鍍膜的均勻性。