一種半導(dǎo)體設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201921572818.5 申請日 -
公開（公告）號 CN211199387U 公開（公告）日 2020-08-07
申請公布號 CN211199387U 申請公布日 2020-08-07
分類號 C23C14/35;C23C14/56;C23C14/50;C23C14/54;C23C14/06 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 林信南;游宗龍;劉美華;李方華;児玉晃;板垣克則 申請（專利權(quán)）人 蘇州辰華半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 深圳市晶相技術(shù)有限公司
地址 518000 廣東省深圳市坪山區(qū)坪山街道六和社區(qū)招商花園城17棟S1704
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提出一種半導(dǎo)體設(shè)備，該半導(dǎo)體設(shè)備包括：過渡腔體，設(shè)置在生長腔體之前；至少一載臺，設(shè)置在所述過渡腔體內(nèi)，所述至少一載臺允許放置至少一個托盤，所述托盤允許放置基板，所述至少一載臺允許上升和/或下降；冷卻板，設(shè)置在所述過渡腔體內(nèi)，所述冷卻板與所述至少一載臺相對設(shè)置；抽氣口，設(shè)置在所述過渡腔體的一側(cè)，通過所述抽氣口對所述過渡腔體進行抽真空處理；排氣口，設(shè)置在所述過渡腔體的一側(cè)，通過所述排氣口對所述過渡腔體進行破真空處理。本實用新型的半導(dǎo)體設(shè)備設(shè)計合理，結(jié)構(gòu)簡單。