半導(dǎo)體器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201821571500.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN209282207U 公開（公告）日 2019-08-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN209282207U 申請(qǐng)公布日 2019-08-20
分類號(hào) H01L29/778（2006.01）I; H01L21/335（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I; H01L29/41（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 林信南; 劉美華; 劉巖軍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州辰華半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳精智聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 深圳市晶相技術(shù)有限公司
地址 518052 廣東省深圳市前海深港合作區(qū)前海一路1號(hào)A棟201室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，提供一種半導(dǎo)體器件。所述半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體基板；介質(zhì)層，設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板上；源極和漏極，設(shè)置在所述介質(zhì)層上；以及第一柵極和第二柵極，相互間隔設(shè)置在所述介質(zhì)層上；其中，所述第一柵極和所述第二柵極位于所述源極和所述漏極之間，所述源極、所述漏極、所述第一柵極和所述第二柵極分別貫穿所述介質(zhì)層、且伸入所述半導(dǎo)體基板。本實(shí)用新型的半導(dǎo)體器件可以提高柵極控制能力，減少柵極漏電和關(guān)態(tài)漏電，能夠?qū)崿F(xiàn)高質(zhì)量的肖特基接觸和低的漏極泄漏電流。