氮化鎵半導(dǎo)體器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710488431.0 申請日 -
公開（公告）號 CN107293578B 公開（公告）日 2020-08-07
申請公布號 CN107293578B 申請公布日 2020-08-07
分類號 H01L29/06;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/47;H01L21/335;H01L29/778 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉美華;林信南;劉巖軍 申請（專利權(quán)）人 蘇州辰華半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 深圳市晶相技術(shù)有限公司
地址 518052 廣東省深圳市前海深港合作區(qū)前海一路1號A棟201室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域，提供一種氮化鎵半導(dǎo)體器件包括：氮化鎵外延層；以及，設(shè)置于所述氮化鎵外延層上的氮化硅和等離子體增強(qiáng)正硅酸乙脂復(fù)合介質(zhì)層；設(shè)置于所述復(fù)合介質(zhì)層上的源極、漏極和柵極，所述源極、漏極和柵極分別貫穿所述復(fù)合介質(zhì)層與所述氮化鎵外延層連接；設(shè)置于所述源極、漏極和柵極以及所述復(fù)合介質(zhì)層上的絕緣層，以及設(shè)置于所述絕緣層上的場板金屬層。本發(fā)明的氮化鎵半導(dǎo)體器件不易出現(xiàn)擊穿氮化鋁鎵層的現(xiàn)象，進(jìn)而避免了出現(xiàn)氮化鎵半導(dǎo)體器件的漏電以及擊穿的問題，有效的保護(hù)了氮化鎵半導(dǎo)體器件，增強(qiáng)了氮化鎵半導(dǎo)體器件的可靠性。