一種雙組分界面混合式電子傳輸層及其制備方法和應用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811427855.7 申請日 -
公開（公告）號 CN109994610A 公開（公告）日 2019-07-09
申請公布號 CN109994610A 申請公布日 2019-07-09
分類號 H01L51/42（2006.01）I; H01L51/46（2006.01）I; H01L51/48（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 史彥濤; 李燕茜 申請（專利權）人 北京賽知科技有限公司
代理機構 北京國謙專利代理事務所（普通合伙） 代理人 東莞理工學院; 北京賽知科技有限公司
地址 523808 廣東省東莞市松山湖大學路一號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種雙組分界面混合式電子傳輸層及其制備方法和應用，涉及新能源材料與器件領域。所述電子傳輸層由二氧化錫納米晶和二氧化鈦納米晶組成，界面混合式結構是指非連續(xù)的二氧化錫納米晶作為底層，其上覆蓋一層二氧化鈦納米晶，二氧化錫納米晶與二氧化鈦納米晶在導電基底與多孔層之間的界面上形成雙組分混合相，這一界面混合相連同二氧化鈦納米晶多孔層共同組成電子傳輸層。本發(fā)明的電子傳輸層可以明顯減少器件的內阻，提高電池填充因子，提升光電轉換效率；減少電子被復合的概率；同時，電子傳輸層在受光后不易產(chǎn)生本征激發(fā)，進而不會對有機?無機復合的鈣鈦礦吸光層產(chǎn)生光降級作用，可以進一步提升器件的長期穩(wěn)定性。