過壓檢測電路、過流檢測電路以及保護(hù)檢測電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021382796.9 申請日 -
公開（公告）號 CN212622792U 公開（公告）日 2021-02-26
申請公布號 CN212622792U 申請公布日 2021-02-26
分類號 G01R19/165(2006.01)I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 王釗 申請（專利權(quán)）人 無錫中感微電子股份有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 214135江蘇省無錫市新區(qū)清源路18號太湖國際科技園傳感網(wǎng)大學(xué)科技園530大廈A1001
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種過壓檢測電路、過流檢測電路以及保護(hù)檢測電路，其中，過壓檢測電路包括：帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路，其用于產(chǎn)生帶隙基準(zhǔn)電壓BG，其包括運算放大器OP、第一雙極型晶體管Q1和第二雙極型晶體管Q2；分壓電路，其用于基于受檢輸入電壓產(chǎn)生第一檢測電壓；比較器Comp1，其第一輸入端接收所述帶隙基準(zhǔn)電壓BG，其第二輸入端接收所述第一檢測電壓；其中，所述第一雙極型晶體管和第二雙極型晶體管為PNP雙極型晶體管。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型中，用于實現(xiàn)電壓檢測和/或電流檢測的雙極型晶體管可以采用普通的CMOS工藝中寄生的PNP型雙極型晶體管，從而減少光刻步驟，進(jìn)而降低芯片的生產(chǎn)成本。??