一種大尺寸提拉法單晶生長設計和控制方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610779365.8 申請日 -
公開（公告）號 CN106283178A 公開（公告）日 2017-01-04
申請公布號 CN106283178A 申請公布日 2017-01-04
分類號 C30B15/20(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 張慶禮;劉文鵬;王小飛;孫貴花;孫敦陸;谷長江;高進云;張德明;殷紹唐 申請（專利權(quán)）人 安徽中科未來技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 安徽合肥華信知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張巧
地址 230031 安徽省合肥市蜀山湖路350號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明給出了一種提拉法單晶生長的形狀、工藝參數(shù)和控制參數(shù)的設計及其控制方法，分段設計整根晶體的直徑、工藝參數(shù)和控制參數(shù)，數(shù)個晶體段構(gòu)成一個完整的晶體。保持相鄰晶體段間在過渡處的拉速、轉(zhuǎn)速、直徑和PID參數(shù)相等，并分別設定，從而在整個晶體生長過程中的拉速、轉(zhuǎn)速、直徑和PID參數(shù)均按給出的函數(shù)關(guān)系計算，為晶體生長的實時控制提供參數(shù)并計算反饋量，達到穩(wěn)定控制晶體生長的目的。