圖形化襯底的GaN基LED外延片及該外延片的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200810217488.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN101740677A 公開(kāi)（公告）日 2010-06-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN101740677A 申請(qǐng)公布日 2010-06-16
分類號(hào) H01L33/00(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡加輝;朱國(guó)雄;吳煊梁;廖家明;沈志強(qiáng) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳世紀(jì)晶源華芯有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 518107 廣東省深圳市光明新區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種圖形襯底的GaN基LED外延片及制備該外延片的方法，其是在外延片襯底上包括有分布DBR反射層，該DBR反射層是由兩種折射率不同的透明材料周期交替生長(zhǎng)的層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)的DBR反射層在襯底上形成相間隔的至少兩個(gè)圖形結(jié)構(gòu)；該圖形結(jié)構(gòu)之間形成窗口區(qū)，GaN外延層即可從窗口區(qū)進(jìn)行外延生長(zhǎng)，本發(fā)明的外延生長(zhǎng)由于晶體生長(zhǎng)方向垂直于原來(lái)的位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)方向，且掩膜層阻斷了大部分?jǐn)U展位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)，因此能大大降低外延層中擴(kuò)展位錯(cuò)的密度，提高GaN外延薄膜的晶體質(zhì)量；同時(shí)，本發(fā)明的圖形化襯底上的DBR反射層結(jié)構(gòu)是兩種折射率不同的材料周期交替生長(zhǎng)的層狀結(jié)構(gòu)，將有源區(qū)向下發(fā)射的光反射到出光的上表面，大大的提高了LED的出光效率。