一種大功率正裝LED芯片結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200810241675.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN101929610A 公開（公告）日 2010-12-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN101929610A 申請(qǐng)公布日 2010-12-29
分類號(hào) F21S2/00(2006.01)I;F21V7/22(2006.01)I;F21V29/00(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;F21Y101/02(2006.01)N 分類 照明;
發(fā)明人 吳大可;朱國雄;張坤 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳世紀(jì)晶源華芯有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 518107 廣東省深圳市光明新區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地(世紀(jì)晶源)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種大功率正裝LED芯片結(jié)構(gòu)，包括透明鈍化層、P壓焊點(diǎn)、透明電極層、N電極、LED外延層、藍(lán)寶石襯底、反射及焊料層，其中：所述的反射及焊料層表面上通過光學(xué)鍍膜的方式形成有DBR光學(xué)反射層，所述的反射及焊料層底部設(shè)置有一高導(dǎo)熱基座層；本發(fā)明所述的大功率正裝LED芯片通過采用導(dǎo)熱基座和DBR光學(xué)反射膜的結(jié)合，解決了大功率LED芯片在高電流密度小所遇到的散熱及提高出光效率的問題。