一種基于納米二氧化硅的電路板用蝕刻液
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201510952041.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN105369250B | 公開(kāi)（公告）日 | 2017-12-08 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN105369250B | 申請(qǐng)公布日 | 2017-12-08 |
| 分類(lèi)號(hào) | C23F1/26(2006.01)I | 分類(lèi) | 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 劉進(jìn)軍 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 無(wú)錫吉進(jìn)環(huán)保科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州天河萬(wàn)研知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 重慶碩奧科技有限公司;深圳市新日東升電子材料有限公司 |
| 地址 | 400056 重慶市巴南區(qū)南泉街道紅星村12社 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公布了一種基于納米二氧化硅的電路板用蝕刻液，包括以下重量百分比的組合物：納米二氧化硅1.5％～2.5％；磷酸銨1.2％～1.6％；草酸0.5％～1.6％；有機(jī)鹽酸0.5％～1.2％；非離子表面活性劑0.3％～1.5％；穩(wěn)定劑0.5％～1.2％；消泡劑0.5％～1.6％；其余為蒸餾水。本發(fā)明通過(guò)在原有工藝的基礎(chǔ)上新加入了納米二氧化硅，不僅能夠在不發(fā)生抗蝕涂層滲透的情況下進(jìn)行蝕刻，顯著提高鉻金屬膜的蝕刻速度，具有蝕刻速度可控性，有效抑制抗蝕保護(hù)層的劣化，得到表面平坦光滑的鉻金屬膜配線，具有重要的應(yīng)用價(jià)值。 |
