一種改善直拉法生長(zhǎng)單晶硅質(zhì)量的方法以及加熱器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510210421.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN104818524A 公開(kāi)（公告）日 2015-08-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN104818524A 申請(qǐng)公布日 2015-08-05
分類號(hào) C30B15/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 湯灝 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西安隆基新能源有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州天勤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 湯灝;樂(lè)葉光伏能源有限公司
地址 310013 浙江省杭州市西湖區(qū)求是村72幢402室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種改善直拉法生長(zhǎng)單晶硅質(zhì)量的方法，包括步驟：將原料硅投入晶體爐的坩堝內(nèi)；加熱器加熱坩堝融化堝內(nèi)的原料硅并保持熔體在熔融狀態(tài)；將棒狀籽晶浸入熔液中；通入惰性氣體至熔體液面，控制爐內(nèi)壓力；一邊旋轉(zhuǎn)坩堝，一邊提升相對(duì)坩堝反向旋轉(zhuǎn)的棒狀籽晶，得到圓柱形的單晶硅晶體，在拉晶過(guò)程中，控制沿著坩堝深度方向的加熱量，使熔體自生長(zhǎng)界面至坩堝底部的溫度梯度減?。槐景l(fā)明還提供了一種實(shí)現(xiàn)本發(fā)明方法的加熱器；本發(fā)明有效減小熱對(duì)流，降低單晶硅中的微缺陷和有害雜質(zhì)，制備得到低缺陷、超低氧、高少子壽命的單晶硅，成本較低且易于實(shí)現(xiàn)。