一種改善直拉法生長單晶硅品質(zhì)的加熱器
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201520267486.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN204608210U | 公開(公告)日 | 2015-09-02 |
申請公布號 | CN204608210U | 申請公布日 | 2015-09-02 |
分類號 | C30B15/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
發(fā)明人 | 湯灝 | 申請(專利權(quán))人 | 西安隆基新能源有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 杭州天勤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 湯灝;樂葉光伏能源有限公司 |
地址 | 310013 浙江省杭州市西湖區(qū)求是村72幢402室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種改善直拉法生長單晶硅質(zhì)量的加熱器,包括筒狀的發(fā)熱本體和固定在發(fā)熱本體上的電極腳,所述發(fā)熱本體上開設(shè)有沿周向交替布置的上開槽和下開槽,所述上開槽和下開槽將發(fā)熱本體分成多根依次串聯(lián)的加熱條,其特征在于,所述加熱條位于所述發(fā)熱本體上部產(chǎn)生的熱量大于位于下部產(chǎn)生的熱量,本實(shí)用新型通過使加熱器的上部發(fā)熱量大于下部的發(fā)熱量,從而有效減小熔體沿深度方向上的溫度梯度,減小熱對流,降低單晶硅中的微缺陷和有害雜質(zhì),制備得到低缺陷、超低氧、高少子壽命的單晶硅,成本較低且易于實(shí)現(xiàn)。 |
