太陽能電池用摻鎵銦單晶硅材料及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201010114326.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN101805925B | 公開(公告)日 | 2012-08-15 |
申請公布號 | CN101805925B | 申請公布日 | 2012-08-15 |
分類號 | C30B29/06(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B15/04(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
發(fā)明人 | 張群社 | 申請(專利權)人 | 西安隆基新能源有限公司 |
代理機構 | 西安弘理專利事務所 | 代理人 | 西安隆基硅材料股份有限公司;西安隆基硅技術有限公司;寧夏隆基硅材料有限公司;西安矽美單晶硅有限公司;隆基綠能科技股份有限公司 |
地址 | 710100 陜西省西安市長安區(qū)航天中路388號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種太陽能電池用摻鎵銦單晶硅材料,按照每立方厘米單晶硅材料中的原子個數(shù),由以下組分組成:鎵:1.0×1014-1.0×1018atoms/cm3,銦:5.0×1012-5.0×1016atoms/cm3,其余為單晶硅。本發(fā)明太陽能電池用摻鎵銦單晶硅材料的制備方法,具體按照以下步驟實施:按照常規(guī)方法進行拆爐,清理干凈爐膛;裝爐;按照常規(guī)方法對單晶爐內(nèi)進行抽真空和檢漏;壓力化與熔料;穩(wěn)定化;引晶;放肩;轉肩;等徑生長;收尾與冷卻;停爐。本發(fā)明太陽能電池用摻鎵銦單晶硅材料,轉換效率高,且光衰率很低,單晶硅中氧含量低、且在單晶硅棒的徑向分布均勻,本發(fā)明制備方法有效控制硅熔體的熱對流,生長了高質量太陽能電池用摻鎵銦單晶硅材料。 |
