一種制備一氧化硅的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111035309.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113501527B 公開(kāi)（公告）日 2021-11-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN113501527B 申請(qǐng)公布日 2021-11-16
分類號(hào) C01B33/18（2006.01）I 分類 無(wú)機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 賀翔;李閣;許迪新;程曉彥;岳風(fēng)樹(shù) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京壹金新能源科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京中知星原知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 艾變開(kāi)
地址 100190北京市海淀區(qū)中關(guān)村東路66號(hào)2號(hào)樓5層0604
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種制備一氧化硅的方法，包括以下步驟：S100：將制備一氧化硅的原料粉末混合均勻后，放在真空蒸鍍爐的蒸發(fā)源內(nèi)部的坩堝中；S200：所述蒸發(fā)源的開(kāi)口端與收集器的進(jìn)氣端通過(guò)產(chǎn)品通道密閉連接，所述開(kāi)口端與進(jìn)氣端之間的距離為5?15cm；S300：所述蒸發(fā)源和收集器安裝在真空蒸鍍室的內(nèi)部，對(duì)真空蒸鍍室進(jìn)行抽真空操作，使得真空蒸鍍室的真空度小于10Pa；S400：加熱蒸發(fā)源到1100?1500℃，使得所述原料粉末反應(yīng)生產(chǎn)一氧化硅氣體，加熱收集器到500?1000℃，接收一氧化硅氣體，一氧化硅氣體在收集器內(nèi)部沉積；S500：反應(yīng)和蒸發(fā)結(jié)束后，冷卻蒸發(fā)源和收集器，得到一氧化硅粉末。