一種改性氧化亞硅及其制備方法和用途

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111083342.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113526516B 公開(kāi)（公告）日 2021-12-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN113526516B 申請(qǐng)公布日 2021-12-03
分類號(hào) C01B33/18（2006.01）I;H01M4/48（2010.01）I;H01M10/0525（2010.01）I 分類 無(wú)機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 李閣;劉柱;賀翔;程曉彥;岳風(fēng)樹(shù) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京壹金新能源科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京中知星原知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張文靜;艾變開(kāi)
地址 100190北京市海淀區(qū)中關(guān)村東路66號(hào)2號(hào)樓5層0604
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種改性氧化亞硅的制備方法，包括如下步驟：（1）提供硅原料，并對(duì)所述硅原料進(jìn)行表面氧化，獲得表面具有硅氧化層的改性硅；（2）將待摻雜元素的原料與所述改性硅混合，并進(jìn)行預(yù)反應(yīng)，得到前驅(qū)體；（3）將所述前驅(qū)體置于真空環(huán)境中，升溫進(jìn)行摻雜反應(yīng)，得到改性氧化亞硅。在本申請(qǐng)?zhí)峁┑闹苽浞椒ㄖ?，摻雜元素與所述硅氧化層反應(yīng)后，與內(nèi)部硅原料接觸面積更大，提高了高溫真空的反應(yīng)速率，進(jìn)而使得改性氧化亞硅中摻雜元素分布更加均勻。