一種用于制備一氧化硅的高收集率的真空蒸鍍爐

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122126719.8 申請日 -
公開（公告）號 CN215757573U 公開（公告）日 2022-02-08
申請公布號 CN215757573U 申請公布日 2022-02-08
分類號 C23C14/08（2006.01）I;C23C14/56（2006.01）I;C23C14/26（2006.01）I;C23C14/30（2006.01）I;C23C14/24（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 賀翔;李閣;許迪新;程曉彥;岳風(fēng)樹 申請（專利權(quán)）人 北京壹金新能源科技有限公司
代理機構(gòu) 北京中知星原知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 艾變開
地址 100190北京市海淀區(qū)中關(guān)村東路66號2號樓5層0604
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種用于制備一氧化硅的高收集率的真空蒸鍍爐，包括真空蒸鍍室、蒸發(fā)源、收集器、真空裝置和冷卻裝置，所述蒸發(fā)源和收集器設(shè)在真空蒸鍍室的內(nèi)部，且收集器的進(jìn)氣端密閉連接蒸發(fā)源的開口端，真空裝置通過抽真空管連接真空蒸鍍室；所述冷卻裝置包括第一冷卻器和第二冷卻器，所述第一冷卻器包括套設(shè)在真空蒸鍍室外側(cè)的冷卻套；所述第二冷卻器包括彼此連接的水冷柱和冷卻水箱，所述水冷柱設(shè)在收集器內(nèi)部，且貫穿收集器的軸向方向。