一種低稀土含量的釹鐵硼磁體的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910639719.2 申請日 -
公開(公告)號 CN110289161B 公開(公告)日 2021-03-30
申請公布號 CN110289161B 申請公布日 2021-03-30
分類號 H01F41/02;H01F1/057;C22C38/14;C22C38/16;C22C33/02;B22F3/10 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 呂竹風(fēng);姚晶晶;劉龍;王育平 申請(專利權(quán))人 寧德市星宇科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 福州市博深專利事務(wù)所(普通合伙) 代理人 張明
地址 352100 福建省寧德市東僑開發(fā)區(qū)團(tuán)圓路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種低稀土含量的釹鐵硼磁體的制備方法,屬于磁體制備技術(shù)領(lǐng)域,該制備方法使用鋯、鈦和銅制成合金粉末,使用鐠、釹、硼和鐵制成主相粉末,然后將一定量的合金粉末加入到主相粉末中后制成釹鐵硼磁體。該制備方法在制備過程中,不使用鏑和鋱,通過添加Cu、Zr、Ti合金,配合高于1100℃的高溫?zé)Y(jié),使得Cu、Zr、Ti的合金晶界限制了主相晶界的移動,阻礙了主相中晶粒的增長,阻斷了主相中晶粒之間的磁交換。進(jìn)而提升了釹鐵硼磁體的矯頑力和工作溫度,有利于制備得到熱穩(wěn)定性高的磁體,同時不使用稀土金屬Dy和Tb,大幅降低了磁體制備的成本。