一種晶界擴(kuò)散制備釹鐵硼磁體的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010631985.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111710519A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-09-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111710519A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-25 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01F41/02(2006.01)I;H01F1/057(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 呂竹風(fēng);黃家熾 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 寧德市星宇科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 福州市博深專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 寧德市星宇科技有限公司 |
| 地址 | 352100福建省寧德市東僑開(kāi)發(fā)區(qū)團(tuán)圓路8號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種晶界擴(kuò)散制備釹鐵硼磁體的方法，包括將厚度為8～12mm的基礎(chǔ)釹鐵硼磁體經(jīng)稀無(wú)機(jī)酸溶液處理后進(jìn)行干燥；將擴(kuò)散合金片Pr50Tb20Cu30附著在干燥后的基礎(chǔ)釹鐵硼磁體的上下表面，然后放在熱壓爐中，對(duì)熱壓爐抽真空，在真空狀態(tài)下進(jìn)行升溫至700～800℃時(shí)，開(kāi)始施加壓力20～30MPa，并保壓7～10h，然后泄壓至常壓、重新抽真空，繼續(xù)升溫至850～950℃，保溫1～2h；將擴(kuò)散后的試樣在真空爐中先后于不同的溫度進(jìn)行退火處理。本發(fā)明能生產(chǎn)出磁體矯頑力、剩磁且樣品厚度均令人滿意的釹鐵硼磁體。?? |
