一種晶界擴散制備釹鐵硼磁體的方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202010631985.3 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN111710519A | 公開(公告)日 | 2020-09-25 |
申請公布號 | CN111710519A | 申請公布日 | 2020-09-25 |
分類號 | H01F41/02(2006.01)I;H01F1/057(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 呂竹風(fēng);黃家熾 | 申請(專利權(quán))人 | 寧德市星宇科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 福州市博深專利事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 寧德市星宇科技有限公司 |
地址 | 352100福建省寧德市東僑開發(fā)區(qū)團圓路8號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種晶界擴散制備釹鐵硼磁體的方法,包括將厚度為8~12mm的基礎(chǔ)釹鐵硼磁體經(jīng)稀無機酸溶液處理后進行干燥;將擴散合金片Pr50Tb20Cu30附著在干燥后的基礎(chǔ)釹鐵硼磁體的上下表面,然后放在熱壓爐中,對熱壓爐抽真空,在真空狀態(tài)下進行升溫至700~800℃時,開始施加壓力20~30MPa,并保壓7~10h,然后泄壓至常壓、重新抽真空,繼續(xù)升溫至850~950℃,保溫1~2h;將擴散后的試樣在真空爐中先后于不同的溫度進行退火處理。本發(fā)明能生產(chǎn)出磁體矯頑力、剩磁且樣品厚度均令人滿意的釹鐵硼磁體。?? |
