硅柵NMOS器件、硅柵CMOS器件以及CMOS電路
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201922390211.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN211350663U | 公開（公告）日 | 2020-08-25 |
| 申請公布號 | CN211350663U | 申請公布日 | 2020-08-25 |
| 分類號 | H01L29/78(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 于江勇;李孟瑤;呂宗森;張燏;趙磊;吳迪;苑寧 | 申請（專利權(quán)）人 | 北京宇翔電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京正理專利代理有限公司 | 代理人 | 張雪梅 |
| 地址 | 100061北京市東城區(qū)龍?zhí)堵?號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開一種硅柵NMOS器件、硅柵CMOS器件以及CMOS電路。其中該硅柵NMOS器件包括：襯底；位于襯底中的阱區(qū)；該阱區(qū)包括有源區(qū)以及用于隔離有源區(qū)的場區(qū)，其中有源區(qū)包括源區(qū)、漏區(qū)、位于源區(qū)與漏區(qū)之間的溝道區(qū)，場區(qū)處形成有場氧化層；位于阱區(qū)中的P+保護(hù)環(huán)，P+保護(hù)環(huán)在襯底上的正投影覆蓋有源區(qū)和氧化層的交界在襯底上的正投影，且P+保護(hù)環(huán)分別與源區(qū)和漏區(qū)間隔開。本實(shí)用新型提供的硅柵NMOS器件，通過在阱區(qū)內(nèi)設(shè)置P+保護(hù)環(huán)，避免輻射環(huán)境下“鳥嘴區(qū)”硅表面反型，解決了因輻照所導(dǎo)致的靜態(tài)功耗急劇增大甚至失效問題。?? |
