單晶硅提拉用坩堝系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110308848.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113046824A 公開（公告）日 2021-06-29
申請公布號 CN113046824A 申請公布日 2021-06-29
分類號 C30B15/12 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 朱蘇華;周娩紅 申請（專利權(quán)）人 湖南世鑫新材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 長沙市融智專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 謝浪
地址 412007 湖南省株洲市天元區(qū)仙月環(huán)路899號新馬動力創(chuàng)新園2-1期D棟研發(fā)廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種單晶硅提拉用坩堝系統(tǒng)，旨在不破壞碳基坩堝的情況下，實(shí)現(xiàn)與石英坩堝的分離。該單晶硅提拉用坩堝系統(tǒng)包括用于盛裝多晶硅的石英坩堝以及匹配套在所述石英坩堝外的碳基坩堝，所述碳基坩堝上設(shè)有若干預(yù)留通孔，每個所述預(yù)留通孔中均匹配設(shè)有所述緩沖堵塞，每個所述緩沖堵塞的外側(cè)均設(shè)有剛性錐頭，所述剛性錐頭的錐尖插入所述緩沖堵塞中，所述剛性錐頭在外力作用下能夠刺穿所述緩沖堵塞對所述石英坩堝施加載荷。