高紅外吸收率的復(fù)合膜層結(jié)構(gòu)及熱電堆芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202121747428.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN216081789U 公開(kāi)（公告）日 2022-03-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN216081789U 申請(qǐng)公布日 2022-03-18
分類號(hào) G01J5/14（2006.01）I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 古瑞琴;楊志博;任紅軍;郭海周;高勝國(guó) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 鄭州煒盛電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 鄭州德勤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 武亞楠
地址 450001河南省鄭州市高新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)金梭路299號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種高紅外吸收率的復(fù)合膜層結(jié)構(gòu)及熱電堆芯片，所述高紅外吸收率的復(fù)合膜層結(jié)構(gòu)包括氮化硅薄膜層，以及位于所述氮化硅薄膜層上表面的二氧化硅薄膜層；所述熱電堆芯片包括硅襯底、熱氧化層、隔絕層、第一熱電偶層、第一絕緣層、第二熱電偶層、第二絕緣層、電極焊盤層和所述高紅外吸收率的復(fù)合膜層結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型能夠大大提高紅外吸收率，并有效降低熱導(dǎo)率，在人體輻射波段具有較高的吸收率。