IGBT焊接層空洞檢測裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202121649423.8 申請日 -
公開（公告）號 CN215813284U 公開（公告）日 2022-02-11
申請公布號 CN215813284U 申請公布日 2022-02-11
分類號 G01R31/70（2020.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 張怡廷 申請（專利權）人 上汽英飛凌汽車功率半導體（上海）有限公司
代理機構 上海浦一知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 焦天雷
地址 201206上海市浦東新區(qū)金吉路33弄2號三層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種IGBT焊接層空洞檢測裝置，包括：電壓電源，其正極連接IGBT柵極，其負極連接IGBT發(fā)射極；電流電源，其正極連接IGBT集電極，其負極連接IGBT發(fā)射極，其能測量電壓。本實用新型的檢測裝置通過對IGBT進行加熱能使用電學測試的方法快速、準確檢測出存在焊接層空洞的IGBT產(chǎn)品。