直拉式晶體生長爐自動控制方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200610050123.1 申請日 -
公開（公告）號 CN100383295C 公開（公告）日 2008-04-23
申請公布號 CN100383295C 申請公布日 2008-04-23
分類號 C30B15/20(2006.01) 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 曹建偉;張俊;顧臨怡;邱敏秀 申請（專利權）人 浙江大晶創(chuàng)業(yè)投資有限公司
代理機構 杭州求是專利事務所有限公司 代理人 浙江大學;浙江大學創(chuàng)業(yè)投資有限公司
地址 310027浙江省杭州市西湖區(qū)浙大路38號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種直拉式晶體生長爐自動控制方法。將硅晶體原材料放到坩堝內(nèi)；利用氬氣保護控制模塊控制；并利用坩堝加熱與冷卻控制模塊控制坩堝加熱控制部件的功率和冷卻水的流量，綜合控制坩堝內(nèi)的普通硅原材料加熱熔化和外殼的冷卻進行熔晶；啟動坩堝與籽晶旋轉(zhuǎn)控制模塊進行引晶放肩，使單晶硅在籽晶周圍形成一個圓錐；啟動單晶直徑控制模塊進行等徑控制；晶體生長完成后收尾；冷卻后取出單晶硅產(chǎn)品。采用帶預測補償功能的晶體生長控制策略，對坩堝內(nèi)溶液溫度、坩堝與籽晶提升速度、旋轉(zhuǎn)速度等參數(shù)進行協(xié)調(diào)控制，在僅采用紅外探測型單晶直徑傳感器的條件下，仍能達到與進口爐相當?shù)木w產(chǎn)品完整性與均勻性，達到電路級要求。