一種適用于大尺寸觸摸屏的導(dǎo)電膜及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010774388.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111785411A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-10-16 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111785411A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-16 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01B5/14(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 鄭琦林;鞏燕龍;廖曉芮;張紅;高峰;張浩;劉月豹 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 安徽方興光電新材料科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 昆明合眾智信知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 | 代理人 | 劉靜怡 |
| 地址 | 233010安徽省蚌埠市高新區(qū)黃山大道北側(cè) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種適用于大尺寸觸摸屏的導(dǎo)電膜，包括PET基材層，所述PET基材層上方依次設(shè)置有非氧化單晶硅層、氮化硅層、SiO2層和ITO層，所述PET基材層厚度設(shè)置為23um，所述非氧化單晶硅層厚度設(shè)置為0.9～1.2nm，所述氮化硅層厚度設(shè)置為15.9～17.5nm，所述SiO2層厚度設(shè)置為22.8～23.9nm，所述ITO層厚度設(shè)置為129～140nm。本發(fā)明在鍍膜前首先進(jìn)行鈦靶轟擊，改變膜層表面微型面貌，增加膜層附著力，非氧化單晶硅的引入進(jìn)一步活化了膜層，為后面濺射打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)，防止膜層過(guò)厚導(dǎo)致鍍層脫落，科學(xué)控制氣體在腔室內(nèi)分布，膜層均勻化最優(yōu)，成品應(yīng)用在86寸大尺寸觸摸屏上不會(huì)出現(xiàn)明顯可感的延遲現(xiàn)象。?? |
