一種低溫等離子體制備硅碳復(fù)合負(fù)極材料的方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201910811959.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN110504435B | 公開(公告)日 | 2021-06-04 |
申請公布號 | CN110504435B | 申請公布日 | 2021-06-04 |
分類號 | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M10/0525 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 許曉落;安靜;劉尚;吳浩;吳琪 | 申請(專利權(quán))人 | 石家莊尚太科技股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京細(xì)軟智谷知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 秦瓊 |
地址 | 052460 河北省石家莊市無極縣里城道鄉(xiāng)南沙公路西側(cè) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種低溫等離子體制備硅碳復(fù)合負(fù)極材料的方法,包括以下步驟,制備納米硅復(fù)合體:將納米硅、硅烷偶聯(lián)劑、添加劑和催化劑加入有機(jī)溶劑中,混合攪拌均勻,經(jīng)過低溫等離子技術(shù)處理,超聲分散,化學(xué)氣相沉積及其表面改性得到硅碳復(fù)合負(fù)極材料。本發(fā)明的有益效果為:本發(fā)明通過將硅烷偶聯(lián)劑、催化劑經(jīng)低溫等離子體技術(shù)處理產(chǎn)生帶電粒子和活性成分作用于納米硅,而后經(jīng)過碳化、還原得到納米硅/一氧化硅復(fù)合材料,其復(fù)合材料具有比容量高、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性強(qiáng),一致性高等特性從而改善材料的循環(huán)性能。 |
