一種量子點(diǎn)及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011563056.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112680214A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-04-20 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112680214A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-20 |
| 分類號(hào) | C09K11/02(2006.01)I;C09K11/88(2006.01)I | 分類 | 染料；涂料；拋光劑；天然樹(shù)脂；黏合劑；其他類目不包含的組合物；其他類目不包含的材料的應(yīng)用; |
| 發(fā)明人 | 趙治強(qiáng);高曉斌;陰德賀 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 魏縣聚邦新材料科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京三聚陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 周淑歌 |
| 地址 | 102629北京市大興區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)大興生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)基地慶豐西路29號(hào)A區(qū)一層1101-3房間 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種量子點(diǎn)的制備方法，先制得ZnCdSe晶種后在其上生長(zhǎng)ZnSe過(guò)渡層，然后依次包覆ZnSe殼層和ZnS殼層。本發(fā)明還公開(kāi)了上述制備方法制得的量子點(diǎn)。本發(fā)明通過(guò)ZnSe過(guò)渡層的設(shè)置，鞏固核與殼層之間的聯(lián)系，有效控制核及各殼層之間的過(guò)渡，減小晶格之間的缺陷；通過(guò)脂肪酸抑制量子點(diǎn)中其他晶種的形成，從而控制量子點(diǎn)晶種的成分、大小與均一度，補(bǔ)加陰離子進(jìn)行晶種的長(zhǎng)大成核，形成表面具有ZnSe過(guò)渡層的量子點(diǎn)核結(jié)構(gòu)，之后依次外延生長(zhǎng)ZnSe殼層和ZnS殼層，減小混晶結(jié)構(gòu)核各組分之間、核與殼之間的晶格應(yīng)力，制備的量子點(diǎn)可見(jiàn)光內(nèi)峰位可調(diào)、半峰寬窄、量子效率高。?? |
