一種多步連續(xù)調(diào)控直接生長自剝離氮化鎵的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110701740.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113430649A | 公開（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113430649A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-24 |
| 分類號(hào) | C30B29/40;C30B33/02;C30B25/18 | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 張保國;邵永亮;胡海嘯;郝霄鵬;吳擁中;呂洪 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 山東加睿晶欣新材料股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京恒創(chuàng)益佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 付金豹 |
| 地址 | 250353 山東省濟(jì)南市長清區(qū)大學(xué)路3501號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種多步連續(xù)調(diào)控直接生長自剝離氮化鎵的方法，包括如下步驟：生長用GaN襯底在多溫區(qū)多氣氛的管式生長爐中的裝配；GaN襯底在高溫下氧化性氣氛中氧化制備表面具有氧化鎵層的襯底；具有氧化鎵層的GaN襯底在腐蝕氣體氣氛中干刻蝕制備多孔GaN襯底；多孔GaN襯底上生長GaN單晶；生長工藝結(jié)束后控制氨氣通入量實(shí)現(xiàn)界面出GaN分解；降溫后烘箱靜置得到自剝離GaN單晶。 |
