一種利用高溫退火表征GaN外延層中位錯的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410000379.6 申請日 -
公開（公告）號 CN103728469B 公開（公告）日 2015-09-30
申請公布號 CN103728469B 申請公布日 2015-09-30
分類號 G01Q30/20(2010.01)I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 郝霄鵬;田媛;張雷;吳擁中;邵永亮;戴元濱;張浩東 申請（專利權(quán)）人 山東加睿晶欣新材料股份有限公司
代理機構(gòu) 濟南金迪知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 山東大學(xué)
地址 250100 山東省濟南市歷城區(qū)山大南路27號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種利用高溫退火表征GaN外延層中位錯的方法，包括以下步驟：（1）將帶有GaN外延層的襯底放入加熱爐中，將加熱爐密封；（2）將加熱爐內(nèi)氣壓抽至3×102-1×104Pa，向加熱爐內(nèi)通入N2至加熱爐內(nèi)氣壓升到室內(nèi)實際氣壓值；（3）重復(fù)步驟（2）；（4）將加熱爐的溫度升到1000-1200℃后保溫3分鐘-20分鐘，進行退火；（5）將加熱爐溫度降回到室溫；（6）從加熱爐中取出樣品，并進行觀察。該方法通過高溫退火，在樣品表面形成清晰的退火形貌，有效地顯示GaN外延層中的位錯，并可對位錯的分布進行研究，不僅能夠評估位錯的密度，還能區(qū)分位錯的種類，分析其表面退火坑的密度與晶體質(zhì)量之間的關(guān)系，具有過程簡單、操作方便快捷、實用性強的特點。