高溫?zé)崽幚磔o助二維涂覆掩模襯底生長(zhǎng)氮化鎵單晶的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111128254.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113832546A | 公開（公告）日 | 2021-12-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113832546A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-12-24 |
| 分類號(hào) | C30B29/40（2006.01）I;C30B25/04（2006.01）I;C30B25/18（2006.01）I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 張保國;邵永亮;胡海嘯;郝霄鵬;吳擁中;呂洪 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 山東加睿晶欣新材料股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京恒創(chuàng)益佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 付金豹 |
| 地址 | 250353山東省濟(jì)南市長(zhǎng)清區(qū)大學(xué)路3501號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種高溫?zé)崽幚磔o助二維涂覆掩模襯底生長(zhǎng)氮化鎵單晶的方法，包括如下步驟：制備濃度適宜的二維材料納米片溶液；對(duì)二維材料納米片溶液進(jìn)行粘度調(diào)控，制備前驅(qū)體溶液；使用旋涂?jī)x將前驅(qū)體溶液均勻涂覆在襯底上；將二維材料涂覆的襯底放入氣氛爐中在惰性氣體氣氛下進(jìn)行高溫?zé)崽幚?；將制備的高溫?zé)崽幚磔o助二維涂覆掩模襯底裝入生長(zhǎng)爐中進(jìn)行晶體生長(zhǎng)；生長(zhǎng)結(jié)束后降溫得到低應(yīng)力、自剝離的GaN單晶；二維材料先轉(zhuǎn)移到襯底上形成了涂覆掩模，之后在沒有二維涂覆層材料的區(qū)域優(yōu)先成核，并依靠橫向外延擴(kuò)展至整個(gè)區(qū)域；在晶體持續(xù)的生長(zhǎng)過程，二維涂覆層材料有效阻斷了位錯(cuò)在晶體中的延伸，進(jìn)而提高晶體質(zhì)量。 |
