一種使用圖形化退火多孔結(jié)構(gòu)進(jìn)行GaN單晶生長(zhǎng)的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410114052.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103866380B 公開(kāi)（公告）日 2016-05-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN103866380B 申請(qǐng)公布日 2016-05-11
分類號(hào) C30B25/04(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 郝霄鵬;戴元濱;吳擁中;張雷;邵永亮;劉曉燕;田媛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 山東加睿晶欣新材料股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 濟(jì)南金迪知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 山東大學(xué)
地址 250100 山東省濟(jì)南市歷城區(qū)山大南路27號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種使用圖形化退火多孔結(jié)構(gòu)進(jìn)行GaN單晶生長(zhǎng)的方法，包括以下步驟：（1）在GaN外延片上制備SiO2圖形掩膜；（2）將帶有SiO2圖形掩膜的GaN外延片在真空爐內(nèi)高溫退火；（3）將退火后的帶有SiO2圖形掩膜的GaN外延片形成多孔GaN襯底；（4）將多孔GaN襯底HVPE外延生長(zhǎng)，得到GaN單晶。該方法通過(guò)GaN外延片圖形掩膜制備、高溫退火、清洗干燥以及HVPE法生長(zhǎng)，最后得到了高質(zhì)量的GaN單晶，并有利于外延生長(zhǎng)的GaN單晶自剝離形成自支撐襯底，這種方法制作簡(jiǎn)單、工藝成熟，能夠提高外延生長(zhǎng)GaN單晶的質(zhì)量，有利于實(shí)現(xiàn)GaN單晶與異質(zhì)襯底的自剝離，適合批量生產(chǎn)。