在SiC襯底上直接生長自剝離GaN單晶的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410113538.3 申請日 -
公開（公告）號 CN103882526B 公開（公告）日 2016-06-01
申請公布號 CN103882526B 申請公布日 2016-06-01
分類號 C30B29/38(2006.01)I;C30B25/16(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 郝霄鵬;田媛;邵永亮;吳擁中;張雷;戴元濱;霍勤 申請（專利權）人 山東加睿晶欣新材料股份有限公司
代理機構 濟南金迪知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 山東大學
地址 250100 山東省濟南市歷城區(qū)山大南路27號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種在SiC襯底上直接生長自剝離GaN單晶的方法，包括以下步驟：（1）SiC晶片清洗；（2）將SiC晶片裝入HVPE反應室中；（3）將HVPE反應室抽真空后，通入N2至HVPE反應室內(nèi)氣壓升至室內(nèi)實際氣壓值；（4）生長一層GaN低溫緩沖層；（5）將HVPE反應室內(nèi)溫度升高進行高溫退火；（6）將HVPE反應室內(nèi)溫度降到1000-1070℃生長GaN單晶；（7）將HVPE反應室內(nèi)溫度降回到室溫；得到自剝離的GaN單晶。本發(fā)明通過在SiC襯底上先生長一層低溫緩沖層再高溫退火，最后高溫生長GaN單晶的方法，實現(xiàn)了通過HVPE法直接在SiC襯底上生長GaN，并得到了自剝離的GaN單晶，具有簡便、快捷、成本低的特點。