利用六方氮化硼納米片生長高質(zhì)量氮化鎵晶體的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410024671.1 申請日 -
公開（公告）號 CN103741221B 公開（公告）日 2016-04-20
申請公布號 CN103741221B 申請公布日 2016-04-20
分類號 C30B29/40(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 郝霄鵬;李先磊;張雷;邵永亮;吳擁中;戴元濱;田媛;霍勤 申請（專利權(quán)）人 山東加睿晶欣新材料股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 濟(jì)南金迪知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 山東大學(xué)
地址 250100 山東省濟(jì)南市歷城區(qū)山大南路27號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種利用六方氮化硼納米片生長高質(zhì)量氮化鎵晶體的方法，包括以下步驟：（1）配制濃度0.005-0.075mg/ml的六方氮化硼納米片與溶劑的分散液；（2）將配好的分散液直接涂于用于制備GaN晶體的襯底上，然后在真空干燥箱內(nèi)40℃-120℃干燥1-8小時；（3）將制備好的襯底放入氫化物氣相外延(HVPE)系統(tǒng)中進(jìn)行GaN晶體外延生長。該方法減小了GaN單晶的位錯密度，GaN晶體質(zhì)量有明顯的提高，無需采用復(fù)雜、昂貴的工藝制備具有特殊結(jié)構(gòu)的氮化鎵基板，工藝簡單，成本低廉，且生長溫度低，適用于批量生產(chǎn)。