一種利用激光處理襯底生長(zhǎng)低應(yīng)力自支撐GaN單晶的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201810122199.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN108315823A | 公開(kāi)（公告）日 | 2018-07-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN108315823A | 申請(qǐng)公布日 | 2018-07-24 |
| 分類(lèi)號(hào) | C30B33/00;C30B29/40 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 郝霄鵬;胡海嘯;邵永亮;吳擁中;霍勤;張保國(guó) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 山東加睿晶欣新材料股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 濟(jì)南金迪知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 山東大學(xué) |
| 地址 | 250199 山東省濟(jì)南市歷城區(qū)山大南路27號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種利用激光處理襯底生長(zhǎng)低應(yīng)力自支撐GaN單晶的方法，包括以下步驟：(1)在藍(lán)寶石襯底上外延生長(zhǎng)一層GaN薄膜，獲得MGA襯底；(2)將得到的MGA襯底進(jìn)行清洗并烘干；(3)將清洗后的MGA襯底放入恒溫室，藍(lán)寶石面朝向激光器的激光出射窗口，且垂直于光束；(4)設(shè)定恒溫室溫度；(5)設(shè)定激光器參數(shù)，包括激光波長(zhǎng)和激光輸出能量；(6)設(shè)置激光掃描步進(jìn)，并逐點(diǎn)掃描MGA襯底藍(lán)寶石表面，在藍(lán)寶石與GaN交界處形成孔洞狀弱連接結(jié)構(gòu)；(7)將恒溫室溫度降至室溫；得到低應(yīng)力MGA襯底。本發(fā)明在保證表面結(jié)構(gòu)完整性的前提下，有效的降低了襯底的應(yīng)力，從而減小HVPE生長(zhǎng)GaN單晶的殘余應(yīng)力，提高GaN單晶質(zhì)量，具有簡(jiǎn)單、快捷、成本低、實(shí)用性強(qiáng)的特點(diǎn)。 |
