阻礙半極性面氮化鎵生長并制備自剝離氮化鎵晶體的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110701742.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113430641A | 公開（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113430641A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-24 |
| 分類號(hào) | C30B25/20（2006.01）I;C30B25/18（2006.01）I;C25D21/12（2006.01）I;C30B29/40（2006.01）I;C25D7/12（2006.01）I;C25D3/22（2006.01）I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 邵永亮;張保國;胡海嘯;郝霄鵬;吳擁中;呂洪 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 山東加睿晶欣新材料股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京恒創(chuàng)益佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 付金豹 |
| 地址 | 250353山東省濟(jì)南市長清區(qū)大學(xué)路3501號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種阻礙半極性面氮化鎵生長并制備自剝離氮化鎵晶體的方法，包括以下步驟：制備具有倒六棱錐結(jié)構(gòu)、暴露出半極性面的GaN晶體；可還原的金屬鹽溶液或金屬鹽熔液在GaN非極性面電解還原得到對(duì)應(yīng)金屬；以及在GaN晶體生長過程中，電沉積金屬阻礙非極性面GaN生長，產(chǎn)生空隙進(jìn)而在降溫過程中由于應(yīng)力作用得到自剝離GaN晶體。通過在半極性面沉積金屬的方法，僅在樣品半極性面形成了阻礙結(jié)構(gòu)，借助空位輔助分離原理，制備的處理襯底在后期生長GaN體單晶過程中，有助于緩解晶體中的應(yīng)力和實(shí)現(xiàn)晶體的自剝離。 |
