一種水熱腐蝕多孔襯底生長自支撐氮化鎵單晶的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710601044.3 申請日 -
公開（公告）號 CN107326444A 公開（公告）日 2017-11-07
申請公布號 CN107326444A 申請公布日 2017-11-07
分類號 C30B33/10(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;C30B7/10(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 郝霄鵬;張保國;邵永亮;吳擁中;霍勤;胡海嘯 申請（專利權(quán)）人 山東加睿晶欣新材料股份有限公司
代理機構(gòu) 濟南金迪知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 山東大學(xué)
地址 250199 山東省濟南市歷城區(qū)山大南路27號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種水熱腐蝕多孔襯底生長自支撐氮化鎵單晶的方法，包括以下步驟：(1)配制水熱腐蝕溶液，裝入水熱釜，將GaN晶體Ga面朝上放入水熱釜，封釜；(2)將水熱釜加熱反應(yīng)，反應(yīng)完畢后靜置降溫；(3)待水熱釜降至室溫，開釜取出GaN晶體，將GaN晶體進行清洗，并吹干，得到經(jīng)水熱反應(yīng)腐蝕的GaN晶體(4)對上述GaN晶體進行位錯密度和分布表征。本發(fā)明通過水熱腐蝕的方法，在樣品表面形成清晰的腐蝕形貌，借助空位輔助分離原理，制備的多孔襯底在后期生長GaN體單晶過程中，有助于緩解晶體中的應(yīng)力和實現(xiàn)晶體的自剝離。與現(xiàn)有技術(shù)相比，該方法具有過程簡單、操作方便、成本低、實用性強的特點，具有反應(yīng)條件緩和、操作簡便、孔徑均一等優(yōu)勢。