大尺寸GaN厚膜的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010223190.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111463325A 公開(kāi)（公告）日 2021-06-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN111463325A 申請(qǐng)公布日 2021-06-04
分類(lèi)號(hào) H01L33/00;C23C16/01;C23C16/34;C23C16/455;C23C16/56;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 閆其昂;沈蔚;范光華;邢懷勇;楊敏 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 江蘇南大光電材料股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 江蘇圣典律師事務(wù)所 代理人 王玉國(guó)
地址 215021 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)平勝路67號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了大尺寸GaN厚膜的制備方法，首先在襯底上采用MOCVD外延技術(shù)，利用TMG源通過(guò)緩沖層外延生長(zhǎng)GaN模板層；然后在GaN模板層上采用MOCVD外延技術(shù)，切換TMG源粗體，生長(zhǎng)GaN應(yīng)力釋放層；采用HVPE方法在具有GaN應(yīng)力釋放層的GaN模板層上生長(zhǎng)GaN厚膜層；最后將襯底剝離，獲得大尺寸GaN厚膜。本發(fā)明通過(guò)MOCVD工藝切換TMG源粗體，通過(guò)TMG源粗體較高的雜質(zhì)摻雜，外延生長(zhǎng)位錯(cuò)密度較高晶體質(zhì)量較差的GaN外延層釋放應(yīng)力，為后續(xù)厚膜GaN生長(zhǎng)提供應(yīng)力釋放，降低大尺寸GaN層生長(zhǎng)龜裂，提高大尺寸GaN厚膜質(zhì)量。