大尺寸GaN厚膜的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010223190.9 申請日 -
公開（公告）號 CN111463325B 公開（公告）日 2021-06-04
申請公布號 CN111463325B 申請公布日 2021-06-04
分類號 H01L33/00;C23C16/01;C23C16/34;C23C16/455;C23C16/56;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 閆其昂;沈蔚;范光華;邢懷勇;楊敏 申請（專利權(quán)）人 江蘇南大光電材料股份有限公司
代理機構(gòu) 江蘇圣典律師事務(wù)所 代理人 王玉國
地址 215021 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)平勝路67號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了大尺寸GaN厚膜的制備方法，首先在襯底上采用MOCVD外延技術(shù)，利用TMG源通過緩沖層外延生長GaN模板層；然后在GaN模板層上采用MOCVD外延技術(shù)，切換TMG源粗體，生長GaN應(yīng)力釋放層；采用HVPE方法在具有GaN應(yīng)力釋放層的GaN模板層上生長GaN厚膜層；最后將襯底剝離，獲得大尺寸GaN厚膜。本發(fā)明通過MOCVD工藝切換TMG源粗體，通過TMG源粗體較高的雜質(zhì)摻雜，外延生長位錯密度較高晶體質(zhì)量較差的GaN外延層釋放應(yīng)力，為后續(xù)厚膜GaN生長提供應(yīng)力釋放，降低大尺寸GaN層生長龜裂，提高大尺寸GaN厚膜質(zhì)量。