在硅基底鍍鎳層的方法和太陽能電池鎳電極的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210278052.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114703468A 公開（公告）日 2022-07-05
申請公布號 CN114703468A 申請公布日 2022-07-05
分類號 C23C18/36（2006.01）I;C23C18/18（2006.01）I;C25D3/12（2006.01）I;C25D7/12（2006.01）I;H01L31/0224（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 段光亮;陳斌;蔣秀林 申請（專利權）人 晶澳（揚州）太陽能科技有限公司
代理機構 北京天達知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 -
地址 225009江蘇省揚州市經濟開發(fā)區(qū)建華路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種在硅基底鍍鎳層的方法和太陽能電池鎳電極的制備方法，屬于太陽能電池技術領域，解決了現有技術中在硅基底鍍鎳速度慢、效果差，成本高的問題。該方法包括以下步驟：步驟A：在硅基底表面形成金屬鎳成核中心；步驟B：將步驟A得到的產品放入化學鍍鎳液中進行化學鍍，利用步驟A得到的金屬鎳成核中心，形成鎳金屬層。本發(fā)明的硅基底鍍鎳方法速度快、鍍層效果好。