太陽能電池及其制備方法、N型摻雜硅膜的處理方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911380721.9 申請日 -
公開（公告）號 CN111354838B 公開（公告）日 2022-07-15
申請公布號 CN111354838B 申請公布日 2022-07-15
分類號 H01L31/18（2006.01）I;H01L31/0288（2006.01）I;H01L31/068（2012.01）I;H01L29/49（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳孝業(yè);張俊兵;單偉 申請（專利權(quán)）人 晶澳（揚(yáng)州）太陽能科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市柳沈律師事務(wù)所 代理人 -
地址 225009江蘇省揚(yáng)州市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)建華路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開的實(shí)施例提供一種太陽能電池及其制備方法、N型摻雜硅膜的處理方法以及半導(dǎo)體器件。該太陽能電池的制備方法包括：提供硅片；在第一溫度下在所述硅片的第一主表面上形成N型摻雜硅膜，同時在所述硅片的除所述第一主表面的至少部分表面上也繞鍍形成所述N型摻雜硅膜；在第二溫度下對所述N型摻雜硅膜進(jìn)行熱處理；在進(jìn)行所述熱處理之后，腐蝕去除所述硅片的除所述第一主表面之外的表面上的所述N型摻雜硅膜；利用所述硅片制備得到所述太陽能電池，其中所述第一溫度低于第二溫度。在本公開的實(shí)施例中，通過在腐蝕去除N型摻雜硅膜之前對其進(jìn)行熱處理，能夠減少所述N型摻雜硅膜中的非活性摻雜元素含量，縮短腐蝕時間，提升工藝效率。