一種碳包覆多孔硅氧化物材料及其制備方法和應(yīng)用
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110363138.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113517422A | 公開（公告）日 | 2021-10-19 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113517422A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-10-19 |
| 分類號(hào) | H01M4/36（2006.01）I;H01M4/48（2010.01）I;H01M4/62（2006.01）I;H01M4/131（2010.01）I;H01M10/0525（2010.01）I;C01B33/113（2006.01）I;C01B33/021（2006.01）I;C01B32/05（2017.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 顧華清;李婷;李輝;劉芳;馮蘇寧 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江西紫宸科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京慧誠(chéng)智道知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 李楠 |
| 地址 | 330700江西省宜春市奉新縣奉新工業(yè)園區(qū) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種碳包覆多孔硅氧化物材料及其制備方法和應(yīng)用。碳包覆多孔硅氧化物材料包括：納米硅晶粒分散在氧化硅基體中構(gòu)成的多孔硅氧化物和包覆所述多孔硅氧化物的碳包覆層；所述多孔硅氧化物的通式為S i Ox，0.5 |
