低比表面積的硅碳負(fù)極材料及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011523125.4 申請日 -
公開（公告）號 CN112652770A 公開（公告）日 2021-04-13
申請公布號 CN112652770A 申請公布日 2021-04-13
分類號 H01M4/62;H01M4/38;H01M10/0525;B82Y30/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李星爍;馮蘇寧;李輝;劉芳;盧勇;顧華清;周敏;盧程 申請（專利權(quán)）人 江西紫宸科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京慧誠智道知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 李楠
地址 213300 江蘇省常州市溧陽市昆侖街道城北大道588號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種低比表面積的硅碳負(fù)極材料及其制備方法，所述制備方法包括：制備納米硅漿料；將納米硅漿料、粘結(jié)劑和碳材料進(jìn)行液相混合，超聲攪拌形成均一分散的混合液；對混合液進(jìn)行噴霧干燥，得到納米硅/碳材料/粘結(jié)劑的復(fù)合顆粒；其中，所述復(fù)合顆粒中，納米硅通過所述粘結(jié)劑粘接包覆在碳材料顆粒表面；利用熱解碳前軀體對所述復(fù)合顆粒進(jìn)行包覆，得到具有包覆層的復(fù)合材料；將所述具有包覆層的復(fù)合材料在惰性氣氛下900℃?1500℃下保溫4?8小時(shí)，使得所述具有包覆層的復(fù)合材料碳化；對碳化后的材料過篩后，得到所述硅碳負(fù)極材料。