一種單晶爐泄漏引流裝置及單晶爐
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202011124772.8 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114381798A | 公開(公告)日 | 2022-04-22 |
申請公布號 | CN114381798A | 申請公布日 | 2022-04-22 |
分類號 | C30B15/10(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
發(fā)明人 | 楊文武;沈福哲 | 申請(專利權(quán))人 | 西安奕斯偉材料技術(shù)有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 許靜;張博 |
地址 | 710000 陜西省西安市高新區(qū)西灃南路1888號1-3-029室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種單晶爐泄漏引流裝置及單晶爐,該單晶爐泄漏引流裝置包括:設(shè)置于坩堝的底部的防漏盤,包括盤底面和圍繞盤底面四周邊緣設(shè)置的防漏邊沿,盤底面和防漏邊沿圍設(shè)形成容置腔;連接在防漏盤的中部的筒狀管,筒狀管包括中空的內(nèi)管和外管,內(nèi)管和外管之間形成空腔,筒狀管包括相對的第一端和第二端,第一端連接于盤底面的中部,空腔在第一端開口,形成與防漏盤的容置腔相通的進液口,筒狀管上設(shè)有排液口;軸承套,坩堝軸穿設(shè)于內(nèi)管內(nèi),軸承套連接在內(nèi)管與坩堝軸之間。本發(fā)明提供的單晶爐泄漏引流裝置及單晶爐,能夠避免硅溶液侵蝕破壞其他熱場部件,提高設(shè)備應(yīng)對溢流風險的能力,減少安全隱患甚至事故的發(fā)生,減少損失,提高設(shè)備的稼動率。 |
