一種測量熔硅液面位置的定位銷及晶硅熔爐

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120221631.1 申請日 -
公開（公告）號 CN216473570U 公開（公告）日 2022-05-10
申請公布號 CN216473570U 申請公布日 2022-05-10
分類號 C30B15/00（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 楊文武;沈福哲;金珍根 申請（專利權）人 西安奕斯偉材料技術有限公司
代理機構 北京銀龍知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 -
地址 710065陜西省西安市高新區(qū)錦業(yè)路1號都市之門A座1323室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開提供一種測量熔硅液面位置的定位銷及晶硅熔爐，所述測量熔硅液面位置的定位銷包括：第一桿，所述第一桿包括相對彎折的第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分均為桿體結(jié)構，所述第二部分包括相對的第一端和第二端，所述第一部分連接在所述第二部分的所述第一端；第二桿，所述第二桿為桿體結(jié)構，所述第二桿包括相對的第三端和第四端，所述第三端連接在所述第二部分的所述第二端，且所述第二桿與所述第二部分同軸設置；其中所述第二部分和所述第二桿中的至少一個在桿體內(nèi)部設有不透光物。本公開提供的測量熔硅液面位置的定位銷及晶硅熔爐，可提高Melt Gap測量的準確性。