一種測(cè)量熔硅液面位置的定位銷及晶硅熔爐

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202120221631.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN216473570U 公開（公告）日 2022-05-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN216473570U 申請(qǐng)公布日 2022-05-10
分類號(hào) C30B15/00（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 楊文武;沈福哲;金珍根 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西安奕斯偉材料技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 710065陜西省西安市高新區(qū)錦業(yè)路1號(hào)都市之門A座1323室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開提供一種測(cè)量熔硅液面位置的定位銷及晶硅熔爐，所述測(cè)量熔硅液面位置的定位銷包括：第一桿，所述第一桿包括相對(duì)彎折的第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分均為桿體結(jié)構(gòu)，所述第二部分包括相對(duì)的第一端和第二端，所述第一部分連接在所述第二部分的所述第一端；第二桿，所述第二桿為桿體結(jié)構(gòu)，所述第二桿包括相對(duì)的第三端和第四端，所述第三端連接在所述第二部分的所述第二端，且所述第二桿與所述第二部分同軸設(shè)置；其中所述第二部分和所述第二桿中的至少一個(gè)在桿體內(nèi)部設(shè)有不透光物。本公開提供的測(cè)量熔硅液面位置的定位銷及晶硅熔爐，可提高M(jìn)elt Gap測(cè)量的準(zhǔn)確性。