一種晶圓表面損傷層深度測(cè)量方法及系統(tǒng)
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011237065.X | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN112355882B | 公開(kāi)(公告)日 | 2022-04-22 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN112355882B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-04-22 |
分類(lèi)號(hào) | B24B37/005(2012.01)ICN 107877335 A,2018.04.06;CN 102226983 A,2011.10.26;CN 205667870 U,2016.11.02;JP 2006228785 A,2006.08.31;CN 104034568 A,2014.09.10;CN 101135654 A,2008.03.05;CN 102097286 A,2011.06.15 張偉等.磷酸鹽釹玻璃表面/亞表面損傷特性實(shí)驗(yàn)研究.《光學(xué)學(xué)報(bào)》.2008,第28卷(第2期),268-272頁(yè).;張銀霞.單晶硅片超精密加工表面/亞表面損傷檢測(cè)技術(shù).《電子質(zhì)量》.2004,全文. | 分類(lèi) | 磨削;拋光; |
發(fā)明人 | 徐鵬 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 西安奕斯偉材料技術(shù)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 西安維英格知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 沈寒酉;李斌棟 |
地址 | 710065陜西省西安市高新區(qū)西灃南路1888號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種晶圓表面損傷層深度測(cè)量方法及系統(tǒng);該方法可以包括:在待測(cè)晶圓表面所選的測(cè)量點(diǎn)處進(jìn)行減薄加工,形成所述測(cè)量點(diǎn)對(duì)應(yīng)的凹面測(cè)量區(qū)域;通過(guò)擇優(yōu)腐蝕的方式對(duì)形成有凹面測(cè)量區(qū)域的待測(cè)晶圓進(jìn)行刻蝕,以顯現(xiàn)所述凹面測(cè)量區(qū)域中損傷層的缺陷;基于所述刻蝕完成后的凹面測(cè)量區(qū)域的幾何參數(shù)以及所述刻蝕完成后的凹面測(cè)量區(qū)域中無(wú)損傷層的幾何參數(shù)計(jì)算獲得所述凹面測(cè)量區(qū)域中的損傷層深度;根據(jù)所有測(cè)量點(diǎn)對(duì)應(yīng)的凹面測(cè)量區(qū)域中的損傷層深度獲取所述待測(cè)晶圓的損傷層深度。 |
