耐高壓的輸入輸出電路
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011484260.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112234975A | 公開（公告）日 | 2021-01-15 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112234975A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-01-15 |
| 分類號(hào) | H03K19/003(2006.01)I | 分類 | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 朱仁波 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海勵(lì)馳半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京德崇智捷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 上海勵(lì)馳半導(dǎo)體有限公司 |
| 地址 | 200000上海市浦東新區(qū)上海自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)祥科路111號(hào)2號(hào)樓217室,晨暉路88號(hào)2幢3層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種耐高壓的輸入輸出電路，屬于芯片安全技術(shù)領(lǐng)域。所述電路包括：第一電阻的第一端口與輸入端相連，第二端口分別與PMOS管和NMOS管相連，且第二端口與輸入輸出電路的輸出端相連；第二電阻的第一端口分別與PMOS管和NMOS管相連，第二端口接地；在輸入信號(hào)的電壓高于耐壓范圍時(shí)，均處于導(dǎo)通狀態(tài)的PMOS管和NMOS管對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行降壓處理，以使輸出信號(hào)的電壓在耐壓范圍內(nèi)；在輸入信號(hào)的電壓位于耐壓范圍內(nèi)時(shí)，均處于斷開狀態(tài)的PMOS管和NMOS管不對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行降壓處理，以使輸出信號(hào)的電壓在耐壓范圍內(nèi)。本發(fā)明可以在處理高壓信號(hào)的同時(shí)屏蔽對(duì)正常信號(hào)的處理。?? |
