一種氮化硼光學(xué)薄膜的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210020466.9 申請日 -
公開（公告）號 CN102560357B 公開（公告）日 2013-09-11
申請公布號 CN102560357B 申請公布日 2013-09-11
分類號 C23C14/06(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 戴初發(fā) 申請（專利權(quán)）人 河北鎧朗新型材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 315175 浙江省寧波市鄞州區(qū)聯(lián)豐中路889號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種立方氮化硼光學(xué)薄膜的制備方法，其是用射頻磁控濺射的方法在單晶硅(100)基體上制備立方氮化硼薄膜，通過在燒結(jié)六角BN靶材中添加少量的Si，從而能夠在立方氮化硼薄膜中或立方氮化硼薄膜與基體之間，形成少量的微晶硅或非晶硅，從而減小立方氮化硼薄膜與單晶硅基體間的性能差異，進(jìn)而避免了薄膜與基體的爆裂剝離，提高了薄膜與基體的致密性和結(jié)合力；并且通過合理的參數(shù)控制，制備出均勻且較厚的立方氮化硼光學(xué)薄膜。