一種高功率密度的SOP8L封裝引線框架

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202121771184.3 申請日 -
公開（公告）號 CN215600357U 公開（公告）日 2022-01-21
申請公布號 CN215600357U 申請公布日 2022-01-21
分類號 H01L23/495（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權）人 江蘇芯潭微電子有限公司
代理機構 - 代理人 -
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法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本文提出一種高功率密度的SOP8L封裝引線框架，框架通過在封裝內(nèi)實現(xiàn)的三基島，承載三個襯底電位不同的芯片，實現(xiàn)了多個低阻的N型功率MOSFET器件與控制芯片的集成，提升了帶載能力，提高了封裝的功率密度；通過三個基島在封裝外部部分裸露并與外部PCB相連，極大降低了封裝的熱阻，進一步提高了封裝的功率密度；通過第一基島及其延展部分將信號側引腳與功率側引腳隔離開來，極大降低了功率側引腳對信號側引腳的耦合干擾。