大直徑高純半絕緣碳化硅生長工藝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010517759.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113151895A 公開（公告）日 2021-07-23
申請公布號 CN113151895A 申請公布日 2021-07-23
分類號 C30B23/00（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 張云偉;何麗娟;陳穎超;楊麗雯;程章勇;李天運;韋玉平;李百泉;靳麗婕 申請（專利權(quán)）人 北京世紀金光半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 100176北京市大興區(qū)經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)通惠干渠路17號院
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種大直徑高純半絕緣碳化硅生長工藝方法，步驟為：（1）生長備料準備，完成籽晶、原料、熱場的裝配；（2）開始工藝生長，完成除雜、升溫、生長、降溫、停爐工藝。本發(fā)明方法通過氫氣的引入、坩堝內(nèi)結(jié)構(gòu)設(shè)計、優(yōu)化的籽晶選取、加熱結(jié)構(gòu)組合設(shè)計以及優(yōu)化的工藝參數(shù)等技術(shù)手段，使獲得高純碳化硅單晶易操作，實現(xiàn)技術(shù)指標高、原料利用率高，成本低的半絕緣單晶制備。