一種大尺寸碳化硅晶體生長(zhǎng)用籽晶

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010517681.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113122922A 公開（公告）日 2021-07-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN113122922A 申請(qǐng)公布日 2021-07-16
分類號(hào) C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 靳麗婕;張?jiān)苽?何麗娟;陳穎超;楊麗雯;李天運(yùn);程章勇;李百泉;韋玉平;劉廣政 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 100176北京市大興區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)通惠干渠路17號(hào)院
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種低缺陷位錯(cuò)密度的大尺寸碳化硅單晶生長(zhǎng)用籽晶。其特征為：1、大尺寸碳化硅單晶生長(zhǎng)用籽晶在生長(zhǎng)面（C面）上被一層同質(zhì)外延層覆蓋；2、該籽晶在C面過渡外延層前需要雙面拋光、C面CMP。