符合產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的高厚度低缺陷六英寸碳化硅晶體生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010502357.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113174631A 公開（公告）日 2021-07-27
申請公布號 CN113174631A 申請公布日 2021-07-27
分類號 C30B23/00;C30B29/36 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 陳穎超;張云偉;何麗娟;程章勇;靳麗婕;李天運;楊麗雯;李百泉;韋玉平 申請（專利權(quán)）人 北京世紀金光半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 100176 北京市大興區(qū)經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)通惠干渠路17號院
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉一種符合產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的高厚度低缺陷六英寸碳化硅晶體生長方法，針對產(chǎn)業(yè)化大規(guī)模進行六英寸碳化硅晶體生長過程中極易產(chǎn)生的各種缺陷：如晶型突變，位錯增加、晶體有效產(chǎn)出低（厚度不足）等特性，提出新的適合產(chǎn)業(yè)化大規(guī)模晶體生長工藝方法，在同等的生長周期和等同的投料量的前提下不但保證晶體的有效產(chǎn)出且能有效保證晶體的質(zhì)量合格。主要包括：一次升溫、一次降壓，二次升溫及二次降壓、三次升溫、熱場移動、恒溫升壓、一次降溫、二次降溫、末次抽換氣等步驟。通過本工藝可實現(xiàn)單爐次產(chǎn)出六英寸碳化硅晶體厚度≥25mm，并且有效抑制異晶型產(chǎn)生和位錯的持續(xù)增加。